中国小型SiC厂商难过2023然而，就在刚刚过去的3月份，特斯拉却突然宣布，下一代的电动车传动系统SiC用量大减75%，因借创新技术找到下一代电动车动力系统减少使用SiC的方法，也不会牺牲效能。

　　就当下的市场情况来看，第三代半导体的发展仍然如火如荼，企业融资并购、厂商增资扩产、新玩家跑步入场、新项目不断涌现，各研究机构对于SiC的前景也是十分看好。根据TrendForce发布的《2023 SiC功率半导体市场分析报告》显示，随着英飞凌、安森美等与汽车、能源厂商合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。同时，受惠于下游应用市场的强劲需求，TrendForce预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。

　　然而，对于中国来说，这个赛道，不只是激昂与澎湃。毕竟现在很多SiC领头企业还在被盈利难而困扰。

　　中国的SiC衬底厂商包括天科合达、山东天岳、河北同光晶体、露笑科技、中科集团2所、世纪金光、江苏超芯星、安徽微芯、三安光电、晶盛机电、天通股份、楚江新材、东尼电子等。

　　器件/模组企业：泰科天润、嘉兴斯达、中车时代电气、扬杰科技、华润微、捷捷微电、华微电子、斯达半导、闻泰科技、中电科55所、基本半导体、世纪金光、国基南方、国家电网等。

　　可以看到，当前国内已经有不少企业开始快速跟进SiC的发展，其中的一些企业已经入局十余年之久，然而对于许多应用而言，它仍然过于昂贵，因此许多老牌厂商还面临着利润亏损的难题。

　　日前，天岳先进发布了2022年年报及今年一季报雷竞技RAYBET首页。年报显示，2022年，天岳先进实现营业收入约4.17亿元，同比减少15.56%；归属于上市公司股东的净利润亏损约1.75亿元；基本每股收益亏损0.41元。今年Q1，实现营收1.93亿元，同比增长185.44%；归母净利润亏损2815余万元，同比、环比均实现减亏。

　　总体上看，与上市前的2021年和2020年相比，天岳先进营收及净利润都差强人意。一上市就业绩变脸，固然有着行业及环境因素，但天岳先进2023年也显得压力不小。

　　近日，露笑科技也发布2023年Q1业绩报告，报告显示Q1公司实现营业收入5.8亿元，较上年同期下降28.46%，归属于上市公司股东的净利润0.45亿元，较上年同期上升243.43%。露笑科技Q1表现还算不错，不过其2022年也是呈现亏损状态，露笑科技2022年实现营业总收入33.42亿元，同比下降6.00%。归属于母公司所有者的净亏损2.56亿元，同比由盈转亏。

　　可以看到，这还仅仅是对于一些尚已有所规模的厂商而言，那些相对小型的SiC厂商，将需要面临更加严峻的挑战。

　　对于半导体行业任何品类的小型厂商来说，资金都是“老大难”。众所周知，半导体行业是一个重资产制造业，从投入到产出需要大量的时间与成本，而特斯拉又是电动汽车采用SiC的风向标，其减少使用SiC的动作直接冲击到资本市场，天岳先进、东尼电子、晶盛机电、乾照光电等概念股应声“跳水”。

　　据悉，目前有一些投资者正在考虑从那些仍然无法突破生产瓶颈的小型SiC供应商那里撤出资金。这导致一些供应商大肆宣传收到的大订单或关键技术的准备情况，显然是为了吸引更多的新资金。另外，在同行之间日益激烈的竞争中，小型SiC制造商的产能利用率和收入表现不太可能得到很好的改善，这反过来将进一步削弱战略投资者的信心。

　　中国企业也在积极研发和探索SiC器件的产业化，然而在今年，中国小型SiC厂商将发现在供应紧张的情况下更难购买相关的制造设备。

　　据供应链消息人士称，一家主要的中国电动汽车制造商正在积极进军SiC供应链，试图从国际供应商那里购买所有可用设备。与此同时，汽车制造商比亚迪、吉利以及华为和小米等手机供应商都在持续深化在汽车半导体领域的部署，有些甚至采用双轨方法来开发硅基和化合物半导体。

　　过去半年汽车销量呈爆炸式增长的中国一线电动汽车制造商正在着手构建自己基于SiC的功率器件供应链，从组件、模块到上游材料，其激进的设备采购加剧了相关设备供应的短缺，显然挤压了小型SiC材料制造商订购设备的交付机会。

　　海外SiC大厂的加速扩张，也导致了中国小型SiC厂商难以获得制造设备。比如：意法半导体（ST）计划今年其SiC业务的销售额从 7 亿美元增加到 10 亿美元；安森美今年计划在捷克共和国投资 10 亿美元；英飞凌正在扩大其在奥地利和维也纳的SiC生产；Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建设全球最大的SiC工厂。随着海外各大厂商的迅速跟进，以及材料制备工艺的多元化发展，未来市场格局将充满变数。

　　巧妇难为无米之炊，设备没有到位是一方面，影响扩产速度的另一方面原因是SiC衬底制备本身就存在极高的技术壁垒。

　　第一，SiC衬底制备对温度和压力的控制要求极高，其生长温度在 2300℃以上；第二，SiC长晶速度慢，7 天的时间大约可生长 2cm SiC晶棒，且晶棒切割难度大，因此SiC衬底从样品到稳定批量供货大约需要5年；第三，晶型要求高、良率低，只有少数几种晶体结构的单晶型SiC才可作为半导体材料；第四，切割磨损高，由于SiC的硬度极大，在对其进行切割时加工难度较高且磨损多。

　　此外，SiC是新材料，与Si的制造工艺有所不同，没有办法借鉴Si材料的经验所以要做相应的研发。解决好工艺问题之后，可同步做产品研发与验证先流一次片，再测试一遍，若发现问题就去改，改完以后再流片、做可靠性验证，一般这类流程需要过3-4次。

　　值得注意的是，产能不足并不仅限于小型企业，当前SiC衬底供需紧张，扩产速度跟不上市场需求对于整个SiC赛道都是通病。特斯拉减少SiC的用量也有产能不及需求的因素，只是对于小型SiC厂商来说，突破一系列的技术壁垒可能需要花费更多的精力和财力，短期内难以与头部企业竞争，而市场本就有先发优势，这样一来，他们在市场竞争力上便落于下风。

　　近年来，随着新材料技术的不断发展，国内SiC器件供应商面临着一系列重大的挑战和机遇。一方面，新材料对Si的取代势头迅猛，给传统Si器件带来了巨大的冲击；另一方面，国产器件正以高质量和竞争力不断崛起，对国外器件构成了有力的竞争。在这个充满变革和竞争的过程中，SiC器件供应商必须勇于面对问题，并做好应对策略，才能在激烈的市场竞争中立于不败之地。

　　首先，SiC器件供应商需要成为优秀的长跑者。市场的竞争是一场持久战，需要持之以恒的努力和耐心。SiC器件技术的研发和商业化落地是一个漫长而复杂的过程，需要供应商们始终保持耐心和毅力。

　　其次，SiC器件供应商必须面对众多的问题。技术问题、市场问题、资金问题等等，都是他们需要直面和解决的挑战。在这个高度竞争的市场环境中，胜利属于那些有持之以恒精神的人。供应商们需要坚定信心，咬牙坚持，不畏困难和挫折，持续不断地推动技术创新和产品升级，才能在激烈的竞争中取得成功。